[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
申请号: | 201310452781.3 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103456857A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 陈家洛;吴飞翔;陈立人;余长治 | 申请(专利权)人: | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215123 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法,所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延层、位于半导体外延层上的透明导电层、以及位于透明导电层上的P电极和半导体外延层上的N电极,所述半导体外延层和衬底全部或部分侧壁设置为连续的斜面。本发明在不增加芯片整体尺寸的情况下,通过设计改进,增加了芯片的发光面积,并且没有增加额外工艺步骤,维持了原有成本,提升了芯片的光电性能。 | ||
搜索关键词: | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种LED芯片,所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延层、位于半导体外延层上的透明导电层、以及位于透明导电层上的P电极和半导体外延层上的N电极,其特征在于,所述半导体外延层和衬底全部或部分侧壁设置为连续的斜面。
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