[发明专利]热调整半导体器件中的应力有效
| 申请号： | 201310452511.2 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104299909B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;张广兴;吴志强;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种热调整半导体器件中的应力的方法，其包括进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在硅锗层上生长硅层；以及进行第一氧化以氧化硅锗层，其中生成第一硅锗氧化区。执行应力释放操作以释放由第一硅锗氧化区引起的应力。在硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质。栅电极形成于栅极介电质上方。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 半导体器件 中的 应力 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路器件的方法，包括：进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在所述硅锗层上生长硅层；进行第一氧化以氧化所述硅锗层，其中生成第一氧化硅锗区；执行应力释放操作以释放由所述第一氧化硅锗区所引起的应力；在所述硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质；以及在所述栅极介电质上方形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
