[发明专利]热调整半导体器件中的应力

权利要求书

1.一种方法，包括：

进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；

进行第二外延以在所述硅锗层上生长硅层；

进行第一氧化以氧化所述硅锗层，其中生成第一氧化硅锗区；

执行应力释放操作以释放由所述第一氧化硅锗区所引起的应力；

在所述硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质；以及

在所述栅极介电质上方形成栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：进行第二氧化以氧化所述硅锗层的内部区域，从而形成第二氧化硅锗区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述应力释放操作包括去除所述第一氧化硅锗区，并且该去除步骤在所述第二氧化之前执行。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法还包括：

以高于所述第一氧化硅锗区的软化温度的温度进行退火。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第二氧化之后，所述硅锗层全部被氧化。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述应力释放操作包括以高于所述第一氧化硅锗区的软化温度的温度对所述第一氧化硅锗区进行第一退火，并且所述第一退火在所述第二氧化的步骤之前进行。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一退火在大约450℃到大约1100℃之间的温度下进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力释放操作包括去除未被氧化的锗粒子。

9.一种方法，包括：

进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；

进行第二外延以在所述硅锗层上生长硅层；

进行第一氧化以氧化所述硅锗层的外部，从而形成第一氧化硅锗区，其中所述氧化硅锗层的内部保持未被氧化；

以高于所述第一氧化硅锗区的软化温度的温度对所述第一氧化硅锗区进行第一退火；

在所述第一退火之后，进行第二氧化以氧化所述硅锗层的内部，从而形成第二氧化硅锗区；

在所述硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质，其中，在所述第二氧化和形成所述栅极介电质的步骤之间没有进行退火温度高于所述第二氧化硅锗区的软化温度的退火；以及

在所述栅极介电质上方形成栅电极。

10.一种集成电路器件，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的氧化硅区，所述氧化硅区中分布有孔；

覆盖所述氧化硅区的硅区；

位于所述硅区的顶面和侧壁上的栅极介电质；以及

位于所述栅极介电质上方的栅电极。