[发明专利]用于测量电子封装件的翘曲的方法及电子封装件有效
申请号: | 201310451303.0 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103499273A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王玉传 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G01B7/16 | 分类号: | G01B7/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法及一种电子封装件,所述方法包括:在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线,其中,ZnO纳米线的端部均与电极连接;利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值;以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差,以确定电子封装件的翘曲程度。本发明所提供的方法能够对电子封装件的翘曲进行实时地、连续地测量,并且在层叠封装件中,能够同时测量位于上方和下方的电子封装件的翘曲,并可以测量任何一个电子封装件的翘曲,提高了测量效率。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 电子 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种用于测量电子封装件的翘曲的方法,所述方法包括:在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线,其中,ZnO纳米线的端部均与电极连接;利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值;以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差,以确定电子封装件的翘曲程度。
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