[发明专利]用于测量电子封装件的翘曲的方法及电子封装件有效
申请号: | 201310451303.0 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103499273A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王玉传 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G01B7/16 | 分类号: | G01B7/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 电子 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体地涉及一种用于测量电子封装件的翘曲(warpage)的方法及电子封装件。
背景技术
随着电子封装件的高度和焊球节距变得越来越小,翘曲问题成为电子封装件尤其是POP封装件的关键问题,目前主要通过阴影莫阿(shallow moire)方法来测量翘曲,此方法是在模拟条件下进行的,存在的问题是效率低且不是实时测量的。
公开号为CN1210585A的专利申请公开了一种阴影莫阿干涉纹技术测量表面平度的方法。具体地,该专利申请中公开的方法包括:将测量对象传送到光栅下;生成指示被测量对象表面平度的阴影莫阿干涉图谱的图像;确定出与所述阴影莫阿干涉纹图谱的图像的至少一个区域所限定的干涉纹数目有关的参数,从而由该参数指示被测量对象的表面平度。也就是说,该专利申请所涉及到的方法是传统的测量封装件翘曲度的方法,其也存在上述问题。
发明内容
为了解决上述技术问题中的至少一个,本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法,所述方法能够对电子封装件的翘曲进行实时地、连续地测量,尤其在层叠封装件(POP)中,能够同时测量位于上方和下方的电子封装件的翘曲,并可以测量任何一个电子封装件的翘曲,提高了测量效率。
根据本发明的一方面,提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法,所述方法包括:在电子封装件的上侧和下侧分别对应地布置ZnO纳米线,其中,ZnO纳米线的端部均与电极连接;利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值;以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差,以确定电子封装件的翘曲程度。
ZnO纳米线可以被分别相对应地布置在电子封装件的上表面和下表面上。
可以利用粘结剂将ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上。
ZnO纳米线可以被分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
所述电子封装件可以包括在层叠封装件中。
根据本发明的另一方面,提供了一种电子封装件,所述电子封装件包括至少两条ZnO纳米线,以测量电子封装件的翘曲,其中,ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上,或者分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
所述电子封装件可以包括在层叠封装件中。
附图说明
图1示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的剖视图;
图2示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的平面图;
图3示意性地示出了在层叠封装件的每个单元电子封装件的上下表面上分别布置有ZnO纳米线的层叠封装件(POP)的剖视图。
具体实施方式
总体而言,本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法,该方法包括:在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线,其中,ZnO纳米线的端部均与电极连接;利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值;以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差,以确定电子封装件的翘曲程度。
在一个实施例中,可以将ZnO纳米线分别相对应地布置在电子封装件的上表面和下表面上。具体地,可以利用粘结剂将ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上。
在另一实施例中,可以将ZnO纳米线分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
此外,本发明提供了一种电子封装件,该电子封装件包括至少两条ZnO纳米线,以测量电子封装件的翘曲,其中,ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上,或者分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。另外,电子封装件可以为层叠封装件。
下面将参照附图更详细地对本发明进行描述。
图1示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的剖视图,图2示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的平面图。
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