[发明专利]一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法有效
| 申请号： | 201310439401.2 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103495907A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，属于超精密加工技术领域，该方法包括:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。利用本发明提供的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，能够实现对微结构的侧壁进行高精度的抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子束 刻蚀 技术 抛光 微结构 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，包括:步骤10:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;步骤20:利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;步骤30:使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院高能物理研究所，未经中国科学院高能物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310439401.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷却翅片结构
- 下一篇：一种待机零功耗无线遥控发射电路
