[发明专利]一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法

权利要求书

1.一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，包括:

步骤10:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;

步骤20:利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;

步骤30:使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。

2.根据权利要求1所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，步骤10中所述待抛光的具有微结构的样品，微结构指轴线互相平行的通孔。

3.根据权利要求2所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，该通孔的孔径小于1毫米，深宽比大于1。

4.根据权利要求2所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，该通孔垂直于轴的截面是任意形状的二维图形。

5.根据权利要求4所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，该任意形状的二维图形至少为圆孔或方孔。

6.根据权利要求1所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，步骤10中所述利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，该距离用以保证被抛光下来的材料能够被顺利排出通孔，防止堆积在样品台表面以致阻碍后续抛光下来材料的顺利排出。

7.根据权利要求1所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，步骤20中所述利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，具体计算方法如下:假设样品中所有的孔的最大深宽比是R，则样品台所需的倾斜角的范围是0～θ，θ=arctan(1/R)，θ单位是度。

8.根据权利要求1所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，步骤20中所述调节样品台到该倾斜角，调节方法为:使样品台的轴线方向与离子束入射方向的夹角为倾斜角。

9.根据权利要求1所述的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，其特征在于，步骤30中所述在刻蚀过程中样品台始终自转，自转为样品台绕着自己的轴线旋转。