[发明专利]一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法有效
申请号: | 201310439401.2 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103495907A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100049 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 离子束 刻蚀 技术 抛光 微结构 侧壁 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法,属于超精密加工技术领域。
背景技术
抛光技术是使用物理机械、化学、电化学等作用降低物体表面粗糙度的加工方法。抛光技术应用范围极其广泛,比如汽车车身表面的抛光,地板的抛光,装饰品表面的抛光等等。当表面能够清晰的倒影出物体影像时,被称为镜面。如果使用均方根(RootMeanSquare,RMS)粗糙度来表征物体表面的光滑程度,镜面的粗糙度在微米量级。镜面抛光是更精密的抛光技术,主要在精密机械和光学工业中使用,使得抛光后的物体表面光滑并具有良好的反射效果。
最常见的且相对容易的是对具有开阔表面的物体进行抛光,通常使用硬质的磨料在被抛光物体表面高速摩擦使其光滑,抛光后达到的粗糙度对于特定的物质而言主要取决于抛光过程使用磨料的颗粒大小。开阔的硅表面经过抛光后,均方根粗糙度可以达到小于1nm的程度,已经接近原子级别的平整度。
对于非开阔表面的抛光,比如工件的孔洞内壁,也有许多抛光技术可以实现,比如化学抛光、电化学抛光、磁流体抛光等。化学抛光是靠化学试剂对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。但是抛光液容易失效,溶液消耗快,抛光结果不是太佳,试样的棱角易受蚀损,抛光面易出现微小波纹起伏。电化学抛光是以被抛工件为阳极,不溶性金属为阴极,两极同时浸入到电解槽中,通以直流电而产生有选择性的阳极溶解,从而达到工件表面光亮度增大的效果。此抛光技术能够实现降低粗糙度的原理目前在国际范围内尚存在争议。技术上,由于电解液的组成复杂、通用性差、使用寿命短和强腐蚀性等缺点,其应用范围受到限制。工艺上影响电化学抛光的参数很多,不易找到正确的抛光参数。磁流体抛光技术是利用磁流变液在磁场中的流变特性进行零件表面加工的一种新型技术。通过调整设备,也可用于工件孔洞内壁的抛光。但同样抛光参数很多,如工件进入磁流体抛光液中的深度、工件轴摆角、运动盘的速度、工件与运动盘形成的间隙大小、磁场强度等,对特殊的工件需花费较大时间去摸索工艺,并不非常成熟。目前很多学者也正在进一步研究此抛光方法。
离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的的一种手段。通常使用氩、氪、氙之类的惰性气体,在真空腔内被电离后形成等离子体,然后由高电压将离子引出并加速,使离子具有一定能量并呈束状入射到待刻蚀表面,撞击材料表面原子,发生溅射,达到刻蚀的目的。此刻蚀过程为纯物理过程。用离子束刻蚀原理对物体表面进行抛光的技术即离子束抛光技术,是现代光学加工技术中非常先进的一种光学镜面抛光技术,是原子量级上的无应力、非接触式抛光工艺,是实现超光滑表面的重要手段。比如,使用离子束刻蚀设备对硅表面精细抛光,可实现0.2nm的粗糙度,抛光角度为60度。但这仅限于对开阔表面任意角度抛光。对于所要抛光平面为直孔的内壁,尤其是具有较大深宽比的孔内壁,抛光离子将不能以优化的某个角度进行入射轰击,所以目前国际上尚无报道使用离子束刻蚀技术对微结构的侧壁进行抛光。
而随着超精密加工技术的发展,对微结构侧壁进行抛光的需求越来越迫切。比如,应用在探空卫星上进行X射线成像的龙虾眼型微孔光学器件,是利用大深宽比方孔内侧壁对X射线的反光进行聚焦成像的,因此侧壁粗糙度通常要纳米量级才能对X光进行良好的反射。此器件的制备将依赖于微结构侧壁的抛光技术。
目前使用的能够对微结构侧壁进行抛光的技术有化学抛光、电化学抛光、磁流体抛光等,但如上文所述,这些技术对于大深宽比侧壁的抛光都存在技术上的困难。
本发明提出把用于平面抛光的离子束刻蚀技术应用于对微结构侧壁的抛光,使侧壁表面达到纳米级的粗糙度。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法,以使高精度抛光的离子束刻蚀技术应用在微结构侧壁的抛光领域,实现对微结构,尤其是对具有大深宽比通孔侧壁的高精度抛光。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法,包括:
步骤10:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上,并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离,且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;
步骤20:利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角,并调节样品台到该倾斜角;
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