[发明专利]一种发光二极管阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201310432579.4 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103474557A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 薛斌;杨华;卢鹏志;于飞;谢海忠;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管阵列的制备方法，包括以下步骤：在晶圆上制作发光二极管；制作带有金属化图形的基板；其中，基板上表面具有金属焊点和导电通孔，基板下表面制备有金属电极，所述金属电极与导电通孔连接；利用晶圆键合工艺，将晶圆与基板进行对位和固定结合，其中，晶圆上的发光二极管的电极与基板上的金属焊点对应；利用激光剥离工艺，将与基板上的金属焊点对应的处于指定区域内的发光二极管从晶圆上剥离；根据需要对基板进行划裂切割，完成由发光二极管组成的发光二极管阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在晶圆上制作发光二极管；步骤2：制作带有金属化图形的基板；其中，基板上表面具有金属焊点和导电通孔，基板下表面制备有金属电极，所述金属电极与导电通孔连接；步骤3：利用晶圆键合工艺，将晶圆与基板进行对位和固定结合，其中，晶圆上的发光二极管的电极与基板上的金属焊点对应；步骤4：利用激光剥离工艺，将与基板上的金属焊点对应的处于指定区域内的发光二极管从晶圆上剥离；步骤5：根据需要对基板进行划裂切割，完成由发光二极管组成的发光二极管阵列的制备。
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