[发明专利]一种MEMS微阀及其制作工艺有效

专利信息
申请号: 201310419935.9 申请日: 2013-09-13
公开(公告)号: CN104445043B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 段飞;张胜昌 申请(专利权)人: 浙江盾安人工环境股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙)33217 代理人: 魏亮
地址: 311835 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种MEMS微阀及其制作工艺,涉及MEMS技术领域,解决了现有微阀制作工艺要求高、承压能力差的技术问题,本发明MEMS微阀包括第一硅层,由(111)晶向的单晶硅材料制成,并且具有流体入口和流体出口;第二硅层,由(111)晶向的单晶硅材料制成,并且具有形成在第二硅层表面的外流道和带有内流道的刚性部件,所述刚性部件容置于外流道内并能在开阀位置与闭阀位置之间移动,第二硅层包括键合部和密封部,第二硅层通过键合部与第一硅层键合,流体入口和流体出口位于第一硅层的非键合区域,外流道位于第一硅层非键合区域与密封部之间,刚性部件的上表面与第一硅层非键合区域的下表面之间形成缓冲液隙,刚性部件的下表面与密封部内壁面之间形成悬浮液隙。
搜索关键词: 一种 mems 及其 制作 工艺
【主权项】:
一种MEMS微阀,其特征在于包括:第一硅层,由(111)晶向的单晶硅材料制成,并且具有流体入口和流体出口;第二硅层,由(111)晶向的单晶硅材料制成,并且具有形成在第二硅层表面的外流道和带有内流道的刚性部件,所述刚性部件容置于外流道内并能在开阀位置与闭阀位置之间移动;第二硅层包括键合部和密封部,第二硅层通过键合部与第一硅层键合,流体入口和流体出口位于第一硅层的非键合区域,外流道位于第一硅层非键合区域与第二硅层密封部之间,刚性部件的上表面与第一硅层非键合区域的下表面之间形成缓冲液隙,刚性部件的下表面与密封部内壁面之间形成悬浮液隙。
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