[发明专利]用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法在审
申请号: | 201310419532.4 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103474443A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 顾学强;周伟;王言虹 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法,通过增加一辅助测量单元,其包括与悬浮漏极相并联的一个或多个附加电容,在同样条件下,对第一像素单元和第二像素单元进行光响应测量,根据两种像素单元相对应的输出信号及附加电容的电容值,以计算出悬浮漏极的电容值,进而得到CMOS图像传感器转换增益。因此,本发明的一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法,能精确地测量CMOS图像传感器悬浮漏极的电容,进而计算出像素单元的转换增益,以保证像素性能评估的准确性。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 cmos 图像传感器 转换 增益 像素 单元 方法 | ||
【主权项】:
一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元,包括:光电二极管;与所述光电二极管相连的传输晶体管;位于有源区上的悬浮漏极;以及共用有源区的复位晶体管、源极跟随晶体管和行选择晶体管;其特征在于,还包括辅助测量单元,其包括与所述悬浮漏极相并联的一个或多个附加电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的