[发明专利]整流桥的制备工艺在审
| 申请号： | 201310419070.6 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465410A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 董克;陈峰;余洪 | 申请（专利权）人： | 瑞安市固特威汽车配件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;B23K1/008 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325200 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种整流桥的制备工艺，包括以下步骤：步骤S1：将安装片放置在下模具内，将锡膏涂覆在安装片的凸起上；步骤S2：将芯片放置在安装片的凸起上；步骤S3：在安装架的凸起上涂抹锡膏，将安装架吸附在芯片上；步骤S4：在下模具上盖合上模具，将整套模具放入焊接炉中进行焊接形成半成品整流桥，焊接炉中温度控制在400℃至450℃；步骤S5：取出半成品整流桥，在安装片与安装架之间涂抹粘结剂，形成整流桥。根据本发明的整流桥的制备工艺，本发明的制备工艺简单，使用锡膏作为焊接材料，减少由于安装片、芯片及安装架安装位置出现偏移而导致的电性接触不良的现象；且焊接效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 整流 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种整流桥的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将安装片放置在下模具内，将锡膏涂覆在安装片的凸起上；步骤S2：将芯片放置在所述安装片的凸起上；步骤S3：在安装架的凸起上涂抹锡膏，将安装架吸附在所述芯片上；步骤S4：在下模具上盖合上模具，将整套模具放入焊接炉中进行焊接形成半成品整流桥，所述焊接炉中温度控制在400℃至450℃；步骤S5：取出所述半成品整流桥，在所述安装片与所述安装架之间涂抹粘结剂，形成整流桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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