[发明专利]整流桥的制备工艺在审
申请号: | 201310419070.6 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN104465410A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 董克;陈峰;余洪 | 申请(专利权)人: | 瑞安市固特威汽车配件有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;B23K1/008 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325200 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整流 制备 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及整流桥领域,特别地,涉及一种整流桥的制备工艺。
背景技术
传统的整流桥制备工艺是将安装片安装在石墨下模内,在安装片上喷上酒精和松香形成的助焊剂,利用真空吸盘如筛盘吸附相应规格的焊片,将吸盘的定位柱放入石墨模具的定位孔内,关闭真空,使焊片落到安装片的相应凸台上,再重复使用真空吸盘在芯片上方放入相应规格的焊片上,在喷上使用真空吸笔将芯片按要求吸附到焊片上,并喷上助焊剂,校正芯片及焊片位置,使焊片的中心与安装片的凸台的中心对齐,将框架轻轻放在吸好芯片的安装片上,盖上石墨上模,连同上下模一并再轻轻送入烧结炉进行焊接。采用上述方法焊接,可能会导致恐怖分芯片与焊片错位,在烧结完成后,会产生较多的焊接不良和电性接触不良,使成型后的整流桥不符合产品要求。
发明内容
本发明目的在于提供一种整流桥的制备工艺,以解决现有技术中制备出的整流桥焊接不良或电性接触不良的技术问题。
为实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种整流桥的制备工艺,包括以下步骤:
步骤S1:将安装片放置在下模具内,将锡膏涂覆在安装片的凸起上;
步骤S2:将芯片放置在安装片的凸起上;
步骤S3:在安装架的凸起上涂抹锡膏,将安装架吸附在芯片上;
步骤S4:在下模具上盖合上模具,将整套模具放入焊接炉中进行焊接形成半成品整流桥,焊接炉中温度控制在400℃至450℃;
步骤S5:取出半成品整流桥,在安装片与安装架之间涂抹粘结剂,形成整流桥。
进一步地,步骤S4中的焊接时间为25min至30min。
进一步地,焊接炉内充有保护气体。
本发明具有以下有益效果:
根据本发明的整流桥的制备工艺,本发明的制备工艺简单,使用锡膏作为焊接材料,减少由于安装片、芯片及安装架安装位置出现偏移而导致的电性接触不良的现象;且焊接效果好。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本发明还有其它的目的、特征和优点。
具体实施方式
以下对本发明的实施例进行详细说明,但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本发明的优选实施例提供了一种整流桥的制备工艺,包括以下步骤:
步骤S1:将安装片放置在下模具内,将锡膏涂覆在安装片的凸起上;
步骤S2:将芯片放置在安装片的凸起上;
由于锡膏具有较大的粘度,因此将锡膏涂覆在安装片的凸起上可以使得芯片放置在安装片上时,不会移位。
步骤S3:在安装架的凸起上涂抹锡膏,将安装架吸附在芯片上;
同样地,在安装架的凸起上涂抹锡膏,将安装架吸附在芯片上时,由于锡膏的粘度较大,因此安装架也可以放置在芯片的适当的位置,以减少由于安装片、芯片及安装架安装位置出现偏移,而导致的电性接触不良的现象。
步骤S4:在下模具上盖合上模具,将整套模具放入焊接炉中进行焊接形成半成品整流桥,焊接炉中温度控制在350℃至400℃;
具体地,盖合上模具后,将整套模具放入焊接炉中进行焊接。焊接时,焊接炉中的温度一般应控制在350℃至400℃。当温度低于350℃时,锡膏不能完全熔化,从而导致焊接不良;当温度高于400℃时,可能会损坏芯片的功能,同时锡膏的焊接效果会下降。一般地,焊接时间为25min至30min。焊接炉内充有保护气体,如氮气,以提高焊接效果。
步骤S5:取出半成品整流桥,在安装片与安装架之间涂抹防水层,形成整流桥。
在安装片与安装架之间涂抹防水层是为了防止安装片与安装架之间有水流渗入,导致芯片失效或发生触电事件。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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