[发明专利]N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法有效
| 申请号： | 201310418670.0 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103456842A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郎芳;王英超;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法。该测试方法包括：步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；步骤S2：在基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试选择性背场的第二方块电阻；步骤S3：判断第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到目标值，更换新的基底并重复步骤S1，在步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并进行步骤S2；如果达到目标值，步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。本发明的测试方法确定的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺可以投入大规模的生产和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 选择性 制备 工艺 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法，其特征在于，包括：步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；步骤S2：在所述基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试所述选择性背场的第二方块电阻；步骤S3：判断所述第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到所述目标值，更换新的所述基底并重复所述步骤S1，在所述步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并执行所述步骤S2；如果达到所述目标值，所述步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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