[发明专利]N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，更具体地，涉及一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法。

背景技术

选择性背场结构在太阳电池背表面形成掺杂浓度高低不同的区域。在活性区形成低掺杂区，低掺杂可以降低少数载流子的体复合几率，且可以进行较好的表面钝化，降低少数载流子的表面复合几率，从而减小电池的反向饱和电流，提高电池的开路电压Voc和短路电流Isc。在电极栅线底下及其附近形成高掺杂区，做电极时容易形成欧姆接触，且此区域的体电阻较小，从而降低太阳能电池的串联电阻，提高电池的填充因子F.F.。同时，在低掺杂区和高掺杂区交界处形成的横向n+/n高低结可以提高光生载流子的收集率，从而提高电池的短路电流Isc。总之，选择性背场结构可以提高太阳能电池的开路电压Voc，短路电流Isc和填充因子F.F.，从而使电池获得高的光电转换效率。

然而现有的制备选择性背场的工艺过程中，没有对选择性背场的结构的优劣做出测试，导致最终的得到的选择性背场的结构的性能不稳定，不能够大批量的投入生产使用。

发明内容

本发明旨在提供一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法，能够测试得到合适的制备选择性背场的制备工艺，便于大批量生产使用。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法，该N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法包括：步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；步骤S2：在基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试选择性背场的第二方块电阻；步骤S3：判断第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到目标值，更换新的基底并重复步骤S1，在步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并执行步骤S2；如果达到目标值，步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。

进一步地，在步骤S2中，利用网版进行印刷腐蚀浆料和烘干的工艺。

进一步地，网版包括刻蚀部，刻蚀部包括刻蚀区，印刷腐蚀浆料的工艺在刻蚀区进行。

进一步地，刻蚀区为一个或多个。

进一步地，第一方块电阻为基底的制备选择性背场的区域的方块电阻。

进一步地，对N型太阳能电池的P型片采用方块电阻测试方法，得到第一方块电阻和第二方块电阻。

进一步地，第一方块电阻的电阻值为15欧姆至25欧姆。

进一步地，目标值为30欧姆至40欧姆。

进一步地，腐蚀浆料的重量的调节范围为0.5克至1克。

进一步地，烘干的温度的调节范围为300摄氏度至400摄氏度。

应用本发明的技术方案，N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法包括：步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；步骤S2：在基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试选择性背场的第二方块电阻；步骤S3：判断第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到目标值，更换新的基底并重复步骤S1，在步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并进行步骤S2；如果达到目标值，步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。本发明的测试方法确定的N型太阳能选择性背场的制备工艺是通过不断测试得到的，选择性背场的方块电阻的电阻值达到目标值时，可以大大提高太阳能电池的开路电压Voc，短路电流Isc和填充因子F.F.，从而提高光电转换效率。因此，本发明的测试方法确定的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺可以投入大规模的生产和使用。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了本发明中的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法的流程图；

图2示意性示出了本发明的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法中的网版的第一种结构的主视图；

图3示意性示出了本发明的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法中的网版的第二种结构的主视图；以及

图4示意性示出了本发明的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法中的网版的第三种结构的主视图。

附图标记说明：

10、网版；11、刻蚀部；12、刻蚀区。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。