[发明专利]一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法有效
| 申请号： | 201310417200.2 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103456625A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;季根华;李翔 | 申请（专利权）人： | 苏州旭环光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法，解决了现有的磷浆掺杂法制备选择性发射极太阳电池过程中遇到的磷浆膜无法完全清除干净的问题。其特点是将带有磷浆膜的待处理硅片表面浸入含氟化物和氧化剂的腐蚀溶液中，利用溶解和剥离这两种腐蚀过程将磷浆膜去除干净，同时通过调整腐蚀液成分含量和腐蚀时间，可以将硅片表面因为腐蚀造成的方块电阻上升控制在一个可接受的范围。该方法兼容现有的工艺制程，有利于进一步改善磷浆掺杂选择性发射极太阳电池的外观和电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双重 腐蚀 去除 浆膜 方法 | ||
【主权项】：
一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：将附着磷浆膜的待处理硅片表面浸入含氟化物和氧化剂的双重腐蚀水溶液中，腐蚀一段时间后可以有效去除磷浆膜，同时通过调整腐蚀液成分浓度和腐蚀时间，使得腐蚀前后硅片的方块电阻值上升幅度控制在可接受的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
