[发明专利]一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法

权利要求书

1.一种双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：将附着磷浆膜的待处理硅片表面浸入含氟化物和氧化剂的双重腐蚀水溶液中，腐蚀一段时间后可以有效去除磷浆膜，同时通过调整腐蚀液成分浓度和腐蚀时间，使得腐蚀前后硅片的方块电阻值上升幅度控制在可接受的范围内。

2.如权利要求1所述的双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：所述的磷浆膜为一种含有微量碳元素的磷硅氧化合物膜。

3.如权利要求1所述的双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：所述氟化物是指氢氟酸、氟化铵和氟化氢铵中的一种或几种之任意比组合，其在腐蚀溶液中的质量百分比为：1%~20%。

4.如权利要求1所述的双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：所述氧化剂为臭氧、过氧化氢、高锰酸钾、硝酸、次氯酸钠、过氧化铬和铬酸钾中的一种或几种之任意比组合，其在腐蚀溶液中的质量百分比为：5ppm~10%。

5.如权利要求1所述的双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：所述的腐蚀时间为30秒~500秒。

6.如权利要求1所述的双重腐蚀去除磷浆膜的方法，其特征在于：所述的腐蚀实施前后，硅片表面有磷浆膜覆盖的区域方块电阻的上升幅度≤15Ω/□，其余区域方块电阻的上升幅度≤25Ω/□。