[发明专利]一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法无效
| 申请号： | 201310415603.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103500793A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孔祥东;韩立;薛虹;李建国;初明璋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法，该方法采用电子束在真空中对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火。所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩模法制备的Mg/B多层膜，在秒数量级的退火时间内使前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成转变温度高于35K的二硼化镁超导薄膜微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 制备 二硼化镁 超导 薄膜 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法，其特征在于：所述的制备方法为：在电子束加工设备的真空样品室内，采用电子束对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火，在秒数量级的退火时间内使所述的二硼化镁前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成二硼化镁超导薄膜微结构；所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩膜法制备的Mg/B多层膜。
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- 一种多层结构钇钡铜氧超导厚膜的制备方法。其制备步骤如下首先配制钇钡铜氧(YBCO)前驱液，按照YBaCu＝123的摩尔比将乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜溶解于去离子水和丙酸的混合溶液中，通过真空旋转蒸发仪将溶液减压提纯成为蓝色凝胶；接着加入甲醇，重复搅拌和减压提纯过程若干次，最后将蓝色凝胶溶解于适量甲醇配制成浓度为1.5‑2.0mol/L的YBCO前驱液；然后，配制钛酸钙前驱液，将四水合硝酸钙溶解于冰醋酸和2‑甲氧基乙醇的混合溶液中。按照TiCa＝11的摩尔比将钛酸四丁酯添加到溶液中得到浓度为0.3‑0.9mol/L的CaTiO3(CTO)前驱液。最后，进行前驱液的涂覆和热处理，通过前驱液涂覆和热处理，将YBCO薄膜和CaTiO3薄膜交替沉积于单晶衬底上，制备出YBCO/CaTiO3多层结构的超导厚膜。
- 一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺-201510125770.3
- 李浩;刘其春;刘建设;李铁夫;陈炜 - 清华大学
- 2015-03-20 - 2017-03-29 - H01L39/24
- 一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺，工艺流程由原位生长三层膜、生长引线层、光刻和刻蚀定义结区三部分组成，Nb约瑟夫森结和Al约瑟夫森结的具体步骤和细节有所不同，最终可得到没有二氧化硅、有Al保护的Nb约瑟夫森结，或者没有多余电极、没有多余绝缘层的Al约瑟夫森结，本发明具有步骤简单、质量高、可规模化等特点。
- 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法-201310173937.4
- 丁发柱;古宏伟;张腾;王洪艳;屈飞;彭星煜 - 中国科学院电工研究所
- 2013-05-11 - 2017-02-08 - H01L39/24
- 一种YBa2Cu3O7‑x超导复合薄膜的制备方法，首先配制前驱液，把乙酸钐Sm(CH3COO)3、乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照SmYBaCu=0.05～0.1123的摩尔比混合溶于10‑30mol℅三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属离子总浓度为1.5‑3.0mol/L的溶液，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃‑500℃的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历800℃‑900℃高温热处理和450℃‑550℃的退火过程形成含有纳米氧化钐的YBa2Cu3O7‑x（YBCO）超导复合膜。本发明制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达6MA/cm2（77K,0T）。
- 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法-201610988338.1
- 董泽斌;丁发柱;古宏伟;屈飞;张贺;张慧亮;商红静 - 中国科学院电工研究所
- 2016-11-10 - 2017-02-01 - H01L39/24
- 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法，所述的制备方法在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜的前驱液中添加掺杂元素的有机盐，掺杂元素为锰、镧、钼、钨中的一种，通过控制金属离子及三氟乙酸的浓度，调整热处理时的温度和气氛，制备含有高熔点氧化物纳米颗粒的YBCO超导薄膜，利用高熔点氧化物纳米颗粒的磁通钉扎效应，提高YBCO薄膜的临界电流密度。
- 具有高临界安培容量的高温超导带材导体-201180037272.3
- 罗伯特·塞莫雷德;沃纳·普路塞特 - 泽瓦薄膜技术股份有限公司
- 2011-06-15 - 2016-11-30 - H01L39/24
- 本发明涉及具有柔性金属基材的高温超导带材导体，所述高温超导带材导体包含至少一个布置于柔性金属基材上的中间层，所述中间层在与柔性金属基材相反的一侧包含多个梯台，其中所述梯台的平均宽度小于1μm且所述梯台的平均高度大于20nm，以及包含至少一个布置于中间层上的高温超导层，所述高温超导层布置于至少一个中间层上且包含大于3μm的层厚度。与导体宽度相关的所述高温超导带材导体的安培容量在77K下大于600A/cm。
- 用于制造用于超导层的衬底的方法-201480063275.8
- A·C·伍尔夫 - 丹麦科技大学
- 2014-11-20 - 2016-07-20 - H01L39/24
- 提供了一种用于制造适合支撑细长超导元件的衬底的方法，其中，在固体元件(202)上布置一个或多个细长条掩蔽材料，从而形成一侧或两侧由细长条掩蔽材料定界的一个或多个暴露的细长区域，并且在所述固体元件上布置填充材料，使得所述在一个或多个暴露的细长区域中的每个暴露的细长区域被填充材料的一部分(318a‑318c)覆盖，其中，填充材料的每个部分还覆盖与该每个部分相邻的细长条掩蔽材料的至少一部分，并且随后去除所述一个或多个细长条掩蔽材料，从而形成相应的一个或多个底切空间，其中，所述一个或多个底切空间中的每个底切空间沿着填充材料的一部分形成在填充材料的所述一部分与固体元件之间。该方法还可包括在衬底上布置缓冲材料(640)和/或超导材料(642、644、646)，从而提供具有减少的AC损耗的超导结构(601)。
- 专利分类
