[发明专利]TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备有效
| 申请号： | 201310415138.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103474399A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 姜晓辉;张家祥 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；再次沉积栅绝缘层材料；剥离剩余的掩膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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