[发明专利]TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备

权利要求书

1.一种TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；

通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；

再次沉积栅绝缘层材料；

剥离剩余的掩膜图案。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图，形成栅极层图案和有源层图案，并保留有源层区域的掩膜图案，具体包括：

通过半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层，其中，有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，剥离剩余的掩膜图案后，还包括：

沉积氧化铟锡层，并通过一次构图，形成像素电极和栅绝缘层过孔。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成像素电极和栅绝缘层过孔后，还包括：

形成源漏金属层图案、钝化层以及公共电极。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成源漏金属层图案，具体包括：

沉积源漏金属层；

掩膜后，进行湿法刻蚀和欧姆接触层刻蚀，形成源漏金属层图案。

6.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中：

所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层通过两次沉积形成包括：

通过一次半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层，其中，有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案；

然后再次沉积栅绝缘层材料，剥离剩余的掩膜图案。

8.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在有源层及栅绝缘层上的像素电极，以及设置在栅极层上的栅绝缘层过孔，其中，所述像素电极和所述栅绝缘层过孔通过一次构图形成。

9.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求6-8任一所述的TFT阵列基板。