[发明专利]具有多个栅极电介质层的异质结构晶体管有效
| 申请号： | 201310412459.8 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103681835A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆德尼;M·墨菲;L·刘 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/737;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 徐燕;杨勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 异质结构半导体器件，包括第一有源层和第二有源层，第二有源层布置在第一有源层上。二维电子气体层，形成在第一有源层和第二有源层之间。第一栅极电介质层布置在第二有源层上。第二栅极电介质层布置在第一栅极电介质层上。钝化层布置在第二栅极电介质层上。栅极穿过所述钝化层延伸到达所述第二栅极电介质层。第一欧姆接触和第二欧姆接触电连接到第二有源层。第一欧姆接触和第二欧姆接触横向间隔开，栅极被布置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电介质 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
一种异质结构半导体器件，包括：第一有源层；第二有源层，布置在所述第一有源层上，一个二维电子气体层形成在所述第一有源层和所述第二有源层之间；第一栅极电介质层，布置在所述第二有源层上；第二栅极电介质层，布置在所述第一栅极电介质层上；钝化层，布置在所述第二栅极电介质层上；栅极，穿过所述钝化层延伸到达所述第二栅极电介质层；第一欧姆接触和第二欧姆接触，电连接到所述第二有源层，所述第一欧姆接触和所述第二欧姆接触横向间隔开，所述栅极被布置在所述第一欧姆接触和所述第二欧姆接触之间。
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