[发明专利]一种薄膜晶体管开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201310411135.2 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103474473A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏;陈政鸿 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管开关及其制作方法。该开关包括栅极、漏极、源极、半导体层以及第四电极，漏极连接第一信号，栅极连接控制信号以控制开关的导通或关闭，所述开关导通时所述源极输出所述第一信号，所述第四电极和所述栅极分别设置于所述半导体层的两侧，且第四电极为导电材料，其根据需要连接不同的电位。通过上述方式，本发明能够在开关处于关闭状态时降低沟道中的漏电流，改善开关的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管开关，其特征在于，所述开关包括栅极、漏极、源极、半导体层以及第四电极，所述漏极连接第一信号，所述栅极连接控制信号以控制所述开关的导通或关闭，所述开关导通时所述源极输出所述第一信号，所述第四电极和所述栅极分别设置于所述半导体层的两侧，且所述第四电极为导电材料，其根据需要连接不同的电位。
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