[发明专利]一种薄膜晶体管开关及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管开关及其制造方法。

背景技术

在液晶显示面板的检测中，检测线路常用的设计方法有两种，一种是检测线路和面板内显示区的扫描线或数据线直接相连，采用这种方式的设计在检测完毕后需要进行激光切割（Laser cut）把测试线路和显示区内的线路切断。第二种方式是测试线路和显示区的信号线通过一个TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)的开关连接，检测时TFT的栅极侧加高电压，此时开关处于导通状态，信号能够进入显示区。当面板正常工作时，TFT的栅极侧加低电压，此时开关关闭，测试线路和扫描线或数据线的连接断开，省去了laser cut这道制程。

传统的用于检测线路的开关TFT只有3个电极：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。TFT在面板正常工作时长期处于栅电极为负偏压的状态，可能导致TFT中半导体层的电学特性发生变化，漏电流增大。图1是开关TFT的漏电线路图，如图1所示，如果采用短路棒（shorting bar）设计的时候，两个TFT的漏极11、14之间连接shorting bar，两个TFT的源极12、15连接不同的扫描线（GL）或者数据线（DL）。两个栅极13、16接低电压以使两个TFT关闭，如果此时发生漏电，漏电流能通过两个TFT以及短路棒，进而造成不同扫描线或者数据线之间的短路，即不同信号之间的短路，对显示产生不良影响。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管开关及其制造方法，能够在开关处于关闭状态时降低沟道中的漏电流，改善开关的特性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管开关，包括栅极、漏极、源极、半导体层以及第四电极，漏极连接第一信号，栅极连接控制信号以控制开关的导通或关闭，开关导通时源极输出第一信号，第四电极和栅极分别设置于源极和漏极的两侧，且第四电极为导电材料，其根据需要连接不同的电位。

其中，开关导通时，栅极和第四电极接高电位。

其中，第四电极的电位与栅极的电位相同。

其中，第四电极的电位与栅极的电位不相同。

其中，开关还包括栅绝缘层以及钝化层，栅绝缘层设置在栅极上，半导体层设置在栅绝缘层上，漏极和源极设置在半导体层上，上面设置钝化层，第四电极设置在钝化层上，开关关闭时，栅极接低电位，第四电极连接高电位以导走积累在半导体层中且远离栅极侧的电子，之后第四电极接低电位。

其中，第四电极接低电位时，其电位与栅极的电位相同。

其中，第四电极接低电位时，其电位与栅极的电位不相同。

其中，开关还包括栅绝缘层以及钝化层，栅绝缘层设置在栅极上，漏极和源极设置在所述栅绝缘层上，上面设置半导体层，第四电极设置在半导体层上，钝化层设置在第四电极的外围，开关关闭时，栅极接低电位，第四电极接地以导走积累在半导体层中且远离栅极侧的电子。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了另一种薄膜晶体管开关的制造方法，包括：依次在基底上制作栅极和栅绝缘层，栅极用于连接控制信号以控制开关的导通或关闭；在栅绝缘层上制作一半导体层；在半导体层上分别制作漏极和源极并覆盖一钝化层，漏极用于连接第一信号；在钝化层上制作第四电极，第四电极用于根据需要连接不同的电位。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了又一种薄膜晶体管开关的制造方法，包括：依次在基底上制作栅极和栅绝缘层，栅极用于连接控制信号以控制开关的导通或关闭；在栅绝缘层上分别制作漏极和源极，漏极用于连接第一信号；半导体层制作在漏极和源极上并与栅绝缘层接触；第四电极制作在半导体层上，并在第四电极的周围覆盖钝化层，第四电极用于根据需要连接不同的电位。

通过上述方案，本发明的有益效果是：一种薄膜晶体管开关通过在传统的栅极、漏极、源极基础上增加第四电极，并且漏极连接第一信号，栅极连接控制信号以控制开关的导通或关闭，开关导通时源极输出第一信号，第四电极和栅极分别设置于半导体层的两侧，且第四电极为导电材料，并根据需要连接不同的电位，能够在开关处于关闭状态时降低沟道中的漏电流，改善开关的特性。

附图说明

图1是现有技术中薄膜晶体管开关的漏电线路图；

图2是本发明第一实施例的薄膜晶体管开关的符号示意图；

图3是本发明第一实施例的薄膜晶体管开关的结构示意图；

图4是本发明第二实施例的薄膜晶体管开关的结构示意图；