[发明专利]一种薄膜晶体管开关及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管开关，其特征在于，所述开关包括栅极、漏极、源极、半导体层以及第四电极，所述漏极连接第一信号，所述栅极连接控制信号以控制所述开关的导通或关闭，所述开关导通时所述源极输出所述第一信号，所述第四电极和所述栅极分别设置于所述半导体层的两侧，且所述第四电极为导电材料，其根据需要连接不同的电位。

2.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述开关导通时，所述栅极和所述第四电极接高电位。

3.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第四电极的电位与所述栅极的电位相同。

4.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第四电极的电位与所述栅极的电位不相同。

5.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述开关还包括栅绝缘层以及钝化层，所述栅绝缘层设置在所述栅极上，所述半导体层设置在所述栅绝缘层上，所述漏极和所述源极设置在所述半导体层上，上面设置所述钝化层，所述第四电极设置在所述钝化层上；所述开关关闭时，所述栅极接低电位，所述第四电极连接高电位以导走积累在所述半导体层中且远离所述栅极侧的电子，之后所述第四电极接低电位。

6.根据权利要求5所述的开关，其特征在于，所述第四电极接低电位时，其电位与所述栅极的电位相同。

7.根据权利要求5所述的开关，其特征在于，所述第四电极接低电位时，其电位与所述栅极的电位不相同。

8.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述开关还包括栅绝缘层以及钝化层，所述栅绝缘层设置在所述栅极上，所述漏极和所述源极设置在所述栅绝缘层上，上面设置所述半导体层，所述第四电极设置在所述半导体层上，所述钝化层设置在所述第四电极的外围；所述开关关闭时，所述栅极接低电位，所述第四电极接地以导走积累在所述半导体层中且远离所述栅极侧的电子。

9.一种薄膜晶体管开关的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

依次在基底上制作栅极和栅绝缘层，所述栅极用于连接控制信号以控制所述开关的导通或关闭；

在所述栅绝缘层上制作一半导体层；

在所述半导体层上分别制作漏极和源极并覆盖一钝化层，所述漏极用于连接第一信号；

在所述钝化层上制作第四电极，所述第四电极用于根据需要连接不同的电位。

10.一种薄膜晶体管开关的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

依次在基底上制作栅极和栅绝缘层，所述栅极用于连接控制信号以控制所述开关的导通或关闭；

在所述栅绝缘层上分别制作漏极和源极，所述漏极用于连接第一信号；

半导体层制作在漏极和源极上并与所述栅绝缘层接触；

第四电极制作在所述半导体层上，并在所述第四电极的周围覆盖钝化层，所述第四电极用于根据需要连接不同的电位。