[发明专利]具有沟槽通路的微电子封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201310410597.2 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103681473B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | M·B·文森特;龚志伟（托尼）;S·M·海斯;D·米切尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽通路的微电子封装及其制造方法。本发明提供包括至少一个沟槽通路(76)的微电子封装(50)的实施例，以及用于制造这样的微电子封装的方法的实施例。在一个实施例中，该方法包括在具有多个接触垫(58、60)的第一微电子器件(52)之上沉积介电层(74)的步骤，所述多个接触垫(58、60)被所述介电层覆盖。沟槽通路被形成于所述介电层内以通过所述沟槽通路暴露所述多个接触垫。所述沟槽通路被形成为包括在其中具有多个凹部的相对的细圆齿状侧壁(78)。然后，通过所述沟槽通路暴露出来的所述多个接触垫被溅射蚀刻。多个互连线(96)在所述介电层上形成，所述多个互连线的每一个电耦合到所述多个接触垫中的不同的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽通路 微电子封装 接触垫 介电层 互连线 制造 沉积介电层 微电子器件 溅射蚀刻 电耦合 圆齿状 暴露 凹部 侧壁 垫被 覆盖 | ||
【主权项】：
一种用于制造微电子封装的方法，包括：在具有多个接触垫的第一微电子器件之上沉积介电层，所述介电层覆盖所述多个接触垫；在所述介电层中形成沟槽通路，通过所述沟槽通路暴露所述多个接触垫，所述沟槽通路被形成为包括在其中具有多个凹部的相对的细圆齿状侧壁；其中所述沟槽通路被形成为使得所述多个凹部各自包括遮蔽区域，包括在所述多个接触垫中的每一个接触垫到所述遮蔽区域的直的瞄准线被阻断；对通过所述沟槽通路暴露的所述多个接触垫进行溅射蚀刻；以及在所述介电层之上形成多个互连线，所述多个互连线中的每一个被电耦合到所述多个接触垫中的不同的一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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