[发明专利]有机发光二极管显示器的像素结构有效
申请号: | 201310407594.3 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN104425544B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 林志宾 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人: | 王正茂,丛芳 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种有机发光二极管显示器的像素结构。此像素结构包含基板、薄膜晶体管、绝缘层、接触结构、像素电极、有机发光材料层以及共同电极。薄膜晶体管是设置于基板上。绝缘层是设置于薄膜晶体管上,且具有贯穿孔,以露出薄膜晶体管的漏极的一部分。接触结构是设置于绝缘层上以及贯穿孔中,以透过贯穿孔来电性连接至薄膜晶体管的漏极的露出部分。像素电极是设置于绝缘层上,且电性连接至接触结构。有机发光材料层是设置于像素电极上。共同电极是设置于有机发光材料层上。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示器的像素结构,其特征在于,包含:一基板;一薄膜晶体管,设置于该基板上,其中该薄膜晶体管包含一漏极和一源极;一第一绝缘层,设置于该薄膜晶体管上,且具有一第一贯穿孔和一第二贯穿孔,以露出该薄膜晶体管的一漏极的一部分以及该薄膜晶体管的一源极的一部分;一漏极接触结构,设置于该第一绝缘层上以及该第一贯穿孔中,以透过该第一贯穿孔来电性连接至该薄膜晶体管的该漏极;一源极接触结构,设置于该第一绝缘层上以及该第二贯穿孔中,以透过该第二贯穿孔来电性连接至该薄膜晶体管的该源极;一像素电极,设置于该第一绝缘层上且完全覆盖该漏极接触结构的表面;一有机发光材料层,设置于该第一绝缘层上且完全覆盖该像素电极的表面以及该源极接触结构的表面;以及一共同电极,设置于该有机发光材料层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的