[发明专利]有机发光二极管显示器的像素结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种有机发光二极管显示器的像素结构。

背景技术

近年来，在平面显示器的产业中，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode；OLED)显示器因具有自发光性、广视角，高亮度、高反应速度以及重量轻等优点，而逐渐受到重视。请参照图1，其是绘示已知OLED显示器的像素结构10。此像素结构10包含基板11、薄膜晶体管12、接触结构13、像素电极14、绝缘层15～17、有机发光材料层18以及共同电极19。有机发光材料层18是夹设于、像素电极14以及共同电极19之间，而像素电极14是透过接触结构13来电性连接至薄膜晶体管12，以获得外部所提供的电子信号来控制有机发光材料层18发光。在像素结构10中，绝缘层15～17是用来提供电性隔绝以及像素定义的效果；其中有机发光材料层18属于A区的部分，因受电场作用低导致其发光效率不佳。

由于已知OLED显示器的制作成本比一般液晶显示器的制造成本高出许多，目前于市场对于OLED显示器接受度仍低于一般液晶显示器。

因此，需要一种低制造成本的OLED像素结构，以可降低OLED显示器的制造成本，同时提高发光效率使OLED显示器更具有竞争力。

发明内容

本发明的一方面是在提供于一种有机发光二极管显示器的像素结构，其具有的绝缘层数量比已知技术少，如此可降低有机发光二极管显示器的制造成本。

根据本发明的一实施例，此有机发光二极管显示器的像素结构包含基板、薄膜晶体管、第一绝缘层、漏极接触结构、第二绝缘层、像素电极、有机发光材料层以及共同电极。薄膜晶体管是设置于基板上。第一绝缘层是设置于薄膜晶体管上，且具有第一贯穿孔，以露出薄膜晶体管的漏极的一部分。漏极接触结构是设置于第一绝缘层上以及第一贯穿孔中，以透过第一贯穿孔来电性连接至薄膜晶体管的漏极的露出部分。第二绝缘层是设置于第一绝缘层以及漏极接触结构上，并露出漏极接触结构的一部分。像素电极是设置于第二绝缘层上以及第二贯穿孔中，以透过第二贯穿孔来电性连接至漏极接触结构的露出部分。有机发光材料层是设置于像素电极上，且完全覆盖像素电极的表面。共同电极是设置于有机发光材料层上。

根据本发明的另一实施例，此有机发光二极管显示器的像素结构包含基板、薄膜晶体管、第一绝缘层、漏极接触结构、源极接触结构、像素电极、有机发光材料层以及共同电极。薄膜晶体管是设置于基板上，其中此薄膜晶体管包含漏极和源极。第一绝缘层是设置于薄膜晶体管上，且具有第一贯穿孔和第二贯穿孔，以露出薄膜晶体管的漏极的一部分以及薄膜晶体管的源极的一部分。漏极接触结构是设置于第一绝缘层上以及第一贯穿孔中，以透过第一贯穿孔来电性连接至薄膜晶体管的漏极。源极接触结构是设置于第一绝缘层上以及第二贯穿孔中，以透过第二贯穿孔来电性连接至薄膜晶体管的源极。像素电极是设置于第一绝缘层上且完全覆盖漏极接触结构的表面。有机发光材料层是设置于第一绝缘层上且完全覆盖像素电极的表面以及源极接触结构的表面。共同电极是设置于有机发光材料层上。

由上述说明可知，本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构所使用的绝缘层数量比已知技术少，如此可降低有机发光二极管显示器的制造成本同时提高发光效率。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，上文特举数个较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

图1是绘示已知有机发光二极管显示器的像素结构；

图2是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的剖面结构示意图；

图3是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的制造方法的流程示意图；

图3a-3h是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的制造方法的各步骤所对应的像素结构；

图4是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的剖面结构示意图；

图5是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的剖面结构示意图；

图6是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的制造方法的流程示意图；

图6a-6c是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的制造方法所对应的像素结构；

图7是绘示根据本发明实施例的有机发光二极管显示器的像素结构的剖面结构示意图。

具体实施方式