[发明专利]利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310407479.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103489968A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 冯向旭;张宁;刘乃鑫;付丙磊;朱绍歆;张连;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层，利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力，从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 alingan 制作 氮化 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。
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