[发明专利]一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法

摘要

一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较大并且腐蚀表面粗糙度较低的刻蚀效果，从而有利于后续工艺的进行并且提高器件的整体性能。该方法首先使用H3PO4、H2O2、H2O溶液进行台面一次刻蚀，利用这种腐蚀液刻蚀纵宽比大的特点得到侧向腐蚀较小的台面，然后使用H3PO4、kmnO4、H2O腐蚀液对被腐蚀表面进行二次修饰，进一步降低腐蚀表面的粗糙度。该方法适用于GaAs材料或含有GaAs半导体材料的刻蚀。

主权项

一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。该方法包括采用H3PO4、H2O2、H2O配制成的腐蚀液进行台面刻蚀，然后采用酸、高锰酸钾、去离子水配制成的溶液对刻蚀面进行二次刻蚀修饰。