[发明专利]检测结构及其形成方法、检测方法有效
| 申请号： | 201310398726.0 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425605B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 程凌霄;王笃林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测结构及其形成方法、检测方法，其中，所述检测结构包括衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区与第一衬垫层电连接；位于衬底内的阱区表面的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列包括若干平行排列的栅极结构，各栅极结构两侧的阱区内均具有源区和漏区，位于各栅极结构一侧的若干源区与第二衬垫层电连接，位于各栅极结构另一侧的若干漏区与第三衬垫层电连接；位于栅极结构阵列顶部的若干层第四导电层，每一层第四导电层与一个第四衬垫层电连接，每一层第四导电层与至少一个栅极结构电连接，且每一栅极结构与至少一层第四导电层电连接；若干层重叠设置的天线结构，每一层第四导电层与一层天线结构电连接。所述检测结构的尺寸缩小、准确度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种检测结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区与第一衬垫层电连接；位于衬底内的阱区表面的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列包括若干平行排列的栅极结构，各栅极结构两侧的阱区内均具有源区和漏区，位于各栅极结构一侧的若干源区与第二衬垫层电连接，位于各栅极结构另一侧的若干漏区与第三衬垫层电连接；位于栅极结构阵列顶部的若干层重叠设置的第四导电层，每一层第四导电层与至少一个栅极结构电连接，每一栅极结构与至少一层第四导电层电连接，且每一栅极结构通过一层第四导电层与一个第四衬垫层电连接；若干层重叠设置的天线结构，每一层第四导电层与一层天线结构电连接；位于所述栅极结构阵列与第四导电层之间、第四导电层和衬底之间、相邻第四导电层之间以及相邻两层天线结构之间的绝缘层，用于进行电隔离。
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