[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在半导体衬底的第一区域表面形成第一伪鳍部，在半导体衬底的第二区域表面形成第二伪鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘材料层，所述绝缘材料层的表面与第一伪鳍部、第二伪鳍部的顶面齐平；去除所述第一伪鳍部，形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充第一半导体材料，形成第一鳍部，所述第一鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平；去除所述第二伪鳍部，形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充第二半导体材料层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平。上述方法可以形成具有不同鳍部材料的鳍式场效应晶体管，从而提高鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在所述半导体衬底表面形成牺牲层、位于所述牺牲层表面的掩膜层、位于所述掩膜层表面的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖部分掩膜层，所述牺牲层与掩膜层的总厚度与后续形成的第一鳍部和第二鳍部的厚度相同；在所述光刻胶层侧壁表面形成侧墙，位于所述光刻胶层一侧的侧墙位于半导体衬底的第一区域上方，位于所述光刻胶层的另一侧侧墙位于半导体衬底的第二区域上方，所述侧墙的宽度定义了后续形成的第一鳍部和第二鳍部的宽度；去除所述光刻胶层；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述掩膜层和牺牲层至半导体衬底表面，在第一区域上形成第一伪鳍部，所述第一伪鳍部包括位于第一区域上的第一部分牺牲层和所述第一部分牺牲层顶部的第一部分掩膜层，在第二区域表面形成第二伪鳍部，所述第二伪鳍部包括位于第二区域上的第二部分牺牲层和所述第二部分牺牲层顶部的第二部分掩膜层；去除所述侧墙；在所述半导体衬底表面形成绝缘材料层，所述绝缘材料层的表面与第一伪鳍部、第二伪鳍部的顶面齐平；去除所述第一伪鳍部，形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充第一半导体材料，形成第一鳍部，所述第一鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平；去除所述第二伪鳍部，形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充第二半导体材料层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平；刻蚀所述绝缘材料层形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于第一鳍部、第二鳍部的顶面；在所述第一区域上的绝缘层表面形成横跨并覆盖部分第一鳍部的第一栅极结构；在所述第二区域上的绝缘层表面形成横跨并覆盖部分第二鳍部的第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源/漏极；在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源/漏极。