[发明专利]半导体装置以及应变监视装置无效
| 申请号： | 201310394835.5 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104061848A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 安本恭章;梁濑直子;尾原亮一;增子真吾;佐野贤也;垣内赖人;野田隆夫;饭田敦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 应变 监视 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；半导体基板，载置于上述基板，具有第1区域以及第2区域；绝缘栅场效应晶体管，设置于上述半导体基板的上述第1区域；以及应变仪部，具有长条的金属电阻体、第1绝缘膜以及第2绝缘膜，上述金属电阻体设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧，上述第1绝缘膜设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面，上述第2绝缘膜跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。
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