[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310393098.7 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425603A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，形成在衬底中多个第一沟槽之间，沿第一方向延伸分布；栅极堆叠，跨域多个，沿第二方向延伸分布；源漏区，形成在栅极堆叠沿第一方向两侧的鳍片中；其中，每个鳍片顶部包括多个子鳍片，由多个第二沟槽分隔每个鳍片而形成。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过特殊的刻蚀工艺在大尺寸鳍片上形成了多个小尺寸子鳍片，合理利用了FinFET器件鳍片之间的区域，提高了器件的驱动能力而避免了增大芯片面积，有效提高了器件整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个鳍片，形成在衬底中多个第一沟槽之间，沿第一方向延伸分布；栅极堆叠，跨域多个，沿第二方向延伸分布；源漏区，形成在栅极堆叠沿第一方向两侧的鳍片中；其中，每个鳍片顶部包括多个子鳍片，由多个第二沟槽分隔每个鳍片而形成。
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