[发明专利]一种肖特基二极管的制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管的制造工艺方法，包括如下工艺步骤1）在N+硅基片正面依次生长N‑外延层、非掺杂的氧化硅、氮化硅硬掩膜层，光刻、干法刻蚀氮化硅硬掩膜层，形成底部斜切口；2）N‑外延层上干法刻蚀深沟槽；3）热氧化法生长栅极氧化膜；4）沟槽填充多晶硅；5）回刻多晶硅，氮化硅硬掩膜层上方多晶硅全部去除，沟槽内多晶硅刻蚀到该硬掩膜层的2/3处；6）去除氮化硅硬掩膜层，停止在栅极氧化膜上，剩余多晶硅形貌呈T型；7）N+硅基片正面沉积接触孔介质膜；8）刻蚀接触孔介质膜，停止在N‑外延层上，形成U形栅极氧化膜；9）淀积金属阳极和金属阴极。本发明解决了现有工艺导致器件漏电增大和BV电压偏低的问题。

主权项

一种肖特基二极管的制造工艺方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：(1)准备N+硅基片，在N+硅基片正面生长N‑外延层；N‑外延层上面生长非掺杂的氧化硅，在非掺杂的氧化硅上方淀积氮化硅硬掩膜层，并进行图形化工艺，干法刻蚀氮化硅硬掩膜层，刻蚀后形成底部斜切口形状；(2)去除光刻胶后，再通过干法刻蚀刻蚀出沟槽，N‑外延层上形成了规律排列的沟槽；(3)热氧化法生长栅极氧化膜；(4)沟槽中填充多晶硅；(5)以氮化硅硬掩膜层作为刻蚀停止层回刻多晶硅，将氮化硅硬掩膜层上方的多晶硅全部去除掉，沟槽内多晶硅刻蚀到氮化硅硬掩膜层的2/3处；(6)去除氮化硅硬掩膜层，刻蚀停止在栅极氧化膜上，由于多晶硅回刻刻蚀到氮化硅硬掩膜层2/3处，去除氮化硅硬掩膜层后剩余多晶硅形貌呈T型；(7)在N+硅基片正面沉积一层接触孔介质膜；(8)刻蚀接触孔介质膜，停止在N‑外延层上，T型多晶硅之下的栅极氧化膜得以保留，形成U形的栅极氧化膜；(9)在N+硅基片正面淀积金属阳极，在N+硅基片背面淀积金属阴极。