[发明专利]一种肖特基二极管的制造工艺方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的制造工艺方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

(1)准备N+硅基片，在N+硅基片正面生长N-外延层；N-外延层上面生长非掺杂的氧化硅，在非掺杂的氧化硅上方淀积氮化硅硬掩膜层，并进行图形化工艺，干法刻蚀氮化硅硬掩膜层，刻蚀后形成底部斜切口形状；

(2)去除光刻胶后，再通过干法刻蚀刻蚀出沟槽，N-外延层上形成了规律排列的沟槽；

(3)热氧化法生长栅极氧化膜；

(4)沟槽中填充多晶硅；

(5)以氮化硅硬掩膜层作为刻蚀停止层回刻多晶硅，将氮化硅硬掩膜层上方的多晶硅全部去除掉，沟槽内多晶硅刻蚀到氮化硅硬掩膜层的2/3处；

(6)去除氮化硅硬掩膜层，刻蚀停止在栅极氧化膜上，由于多晶硅回刻刻蚀到氮化硅硬掩膜层2/3处，去除氮化硅硬掩膜层后剩余多晶硅形貌呈T型；

(7)在N+硅基片正面沉积一层接触孔介质膜；

(8)刻蚀接触孔介质膜，停止在N-外延层上，T型多晶硅之下的栅极氧化膜得以保留，形成U形的栅极氧化膜；

(9)在N+硅基片正面淀积金属阳极，在N+硅基片背面淀积金属阴极。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述N-外延层的厚度在5-10μm，掺杂浓度在1E12-1E15cm^-3之间。

3.按权利要求1所述的方法，其特征在于,步骤(1)中，所述的非掺杂的氧化硅采用热氧化法或常压化学气相沉积法生长，其厚度在之间；所述氮化硅硬掩膜层采用化学气相沉积法淀积，其厚度在之间。

4.按权利要求1所述的方法，其特征在于,步骤(1)中，所述氮化硅硬掩膜层的干法刻蚀采用双功率源刻蚀设备，包含上部电源功率和偏转功率；所述干法刻蚀分前段刻蚀和后段刻蚀，具体刻蚀参数设置为：前段刻蚀中，腔体压力为10～50毫托，上部电源功率为300～850W，偏转功率为55～250W，碳氟系气体流量为50～250sccm；后段刻蚀的刻蚀参数：压力为40～100毫托，上部电源功率为600～900W，偏转功率为40～100W，碳氟系气体流量为10～300sccm。

5.按权利要求1所述的方法，其特征在于,步骤(2)中，所述沟槽的深度在1μm-4μm之间。

6.按权利要求1所述的方法，其特征在于,步骤(3)中，所述栅极氧化膜的厚度在

7.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，所述去除氮化硅硬掩膜层采用湿法刻蚀，湿法药液是热磷酸。

8.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(9)中，所述金属阳极的膜层结构是单层金属Al，或者是Ti/TiN/Al的多层金属结构。

9.按权利要求1或8所述的方法，其特征在于，步骤(9)中，如所述金属阳极的膜层结构是Ti/TiN/Al的多层金属结构，则所述金属阳极在沉积后增加一步退火工艺，退火条件为690℃，N₂，30s。