[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种IGBT的制备方法，包括提供衬底，在衬底的正面形成场氧层，并形成终端保护环；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向衬底内注入N型离子；在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积并形成多晶硅栅，在多晶硅栅上形成保护层；对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区；用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区；借助多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子，推结后形成N型重掺杂区；在多晶硅栅两侧形成侧墙，再向N型重掺杂区内注入P型离子，推结后形成P型重掺杂区；去除保护层后进行多晶硅栅注入掺杂。本发明通过形成载流子增强区降低了器件的导通压降。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底的正面形成场氧层，用终端保护环光刻版光刻并刻蚀所述场氧层，并向被刻蚀开的区域下面的衬底内注入P型离子，形成终端保护环；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的所述场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向所述衬底内注入N型离子，并在场氧层被刻蚀掉的所述衬底上淀积多晶硅，在淀积的多晶硅上形成保护层，用多晶硅光刻版光刻并刻蚀掉多余的多晶硅和保护层，形成多晶硅栅，再对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区；或用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的所述场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向所述衬底内注入N型离子，再推结后形成载流子增强区，并在场氧层被刻蚀掉的所述衬底上淀积多晶硅，在淀积的多晶硅上形成保护层，用多晶硅光刻版光刻并刻蚀掉多余的多晶硅和保护层，形成多晶硅栅；用P阱光刻版光刻并向所述载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区；借助多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子，推结后形成N型重掺杂区；在多晶硅栅两侧形成侧墙，再向所述N型重掺杂区内注入P型离子，推结后形成P型重掺杂区；去除所述保护层后向所述多晶硅栅进行多晶硅注入掺杂；形成层间介质，进行绝缘栅双极型晶体管的正面金属化工艺，进行背面减薄、P型离子注入及退火工艺，及进行绝缘栅双极型晶体管的背面金属化工艺。