[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201310378594.5 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103681550B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金东权;金基一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：下导体，具有下导体侧壁表面以及与所述下导体侧壁表面连续的顶表面，所述顶表面包括边缘部分和中心部分；阻挡膜，具有直接设置在所述下导体侧壁上的阻挡膜侧壁；和通路，设置在所述下导体的顶表面上，其中所述下导体的所述下导体侧壁表面和所述下导体的所述顶表面的所述边缘部分在一点处相接，所述阻挡膜侧壁的顶表面在所述下导体侧壁表面与所述下导体的所述顶表面的所述边缘部分相接的所述点处与所述下导体相交，所述下导体的所述顶表面的所述边缘部分和所述通路在向上方向上直接从所述下导体侧壁表面与所述下导体的所述顶表面的所述边缘部分相接的所述点处延伸，所述阻挡膜侧壁的所述顶表面设置在比所述下导体的所述顶表面的所述中心部分的水平低的水平，以及所述下导体的所述顶表面的所述边缘部分在所述向上方向上凸起地圆化并且所述下导体的所述顶表面的所述中心部分高于所述边缘部分。
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