[发明专利]一种AMOLED显示装置及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310376369.8 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN104425543A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 卜维亮;李南征 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的一种AMOLED显示装置,在基板上直接设置有电容的下极板,在不增加化学气相沉积工艺的前提下,以缓冲层和栅极绝缘层作为电容介质层,通过调整缓冲层和栅极绝缘层的厚度来实现电容数值的调控。同时,缓冲层材料可以使用高介电常数的绝缘层材料,以达到增大电容数值,降低电容器的面积的目的,从而提高了所述AMOLED显示装置的开口率。而且,本发明提供的一种AMOLED显示装置的制备方法,工艺简单、易于大规模生产的实施,制备成本低。
搜索关键词: 一种 amoled 显示装置 及其 制备 方法
【主权项】:
一种AMOLED显示装置,包括:基板(1),设置有薄膜晶体管区域和电容器区域;缓冲层(3),设置在所述基板(1)上;图案化半导体层(4),设置所述薄膜晶体管区域中的缓冲层(3)上;栅极绝缘层(5),设置在所述基板(1)上,覆盖所述图案化半导体层(4)并延伸至所述电容器区域;栅极(62),设置在所述图案化半导体层(4)的预定区域的所述栅极绝缘层(5)上;电容上极板(61),设置在所述电容器区域中的所述栅极绝缘层(5)上;层间绝缘层(7),设置在所述基板(1)上,以覆盖所述栅极(62)和所述电容上极板(61);源极(81)和漏极(82),设置在所述层间绝缘层(7)上并且电连接到所述图案化半导体层(4);第一电极(10),设置在所述层间绝缘层(7)上并且电连接到源极(81)或漏极(82)中的一个;有机层(12),设置在所述第一电极(10)上,所述有机层(12)包括发光层;第二电极(13),设置在所述有机层(12)上;其特征在于,所述基板(1)上直接设置有至少覆盖所述电容器区域的电容下极板(2)。
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