[发明专利]适用于转接板的TSV结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310375502.8 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103426864A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王磊;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于转接板的TSV结构及其制备方法，包括衬底；特征是：在所述衬底上设有TSV深孔，在TSV深孔的侧壁及底壁上设置第一绝缘层，在第一绝缘层表面设置第二绝缘层，在第二绝缘层表面设置扩散阻挡层，在扩散阻挡层表面设置种子层，在TSV深孔中填充导电金属。所述适用于转接板的TSV结构的制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上刻蚀形成TSV深孔；（2）在衬底正面采用热氧化方式生长二氧化硅，得到第一绝缘层；在第一绝缘层表面采用PECVD、SACVD或APCVD沉积TEOS，得到第二绝缘层；再在第二绝缘层表面沉积扩散阻挡层，在扩散阻挡层表面沉积种子层；最后在TSV深孔中填充导电金属。本发明工艺简单、成本低廉、质量良好，提高了硅通孔绝缘层的均匀性和绝缘性。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 转接 tsv 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于转接板的TSV结构，包括衬底（101），衬底（101）具有相对应的衬底正面（102）和衬底背面（103）；其特征是：在所述衬底（101）上设有TSV深孔（201），在TSV深孔（201）的侧壁及底壁上设置第一绝缘层（301），在第一绝缘层（301）表面设置第二绝缘层（401），在第二绝缘层（401）表面设置一层或多层扩散阻挡层（501），在扩散阻挡层（501）表面设置种子层，在TSV深孔（201）中填充导电金属。
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