[发明专利]一种材料外延掺杂的方法无效
| 申请号： | 201310374360.3 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515196A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王悦湖;孙哲;张玉明;贾仁需;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发明公开了一种材料外延掺杂的方法，主要包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。本发明通过改变容器中氢气、甲烷、氮气及硅烷的量的不同，有效地解决现有技术难以控制碳化硅材料高质量掺杂的问题，而且操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 外延 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种材料外延掺杂的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
