[发明专利]金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法在审
申请号: | 201310373675.6 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103426991A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 彭栋梁;郭惠章;蔡端俊;刘翔 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森;戴深峻 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法,涉及透明薄膜电极。将Cu纳米分散于有机溶液中;通过真空抽滤,将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上;将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上,并在基片背面施加压力,再揭去滤膜后,Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面,然后在真空气氛中退火,即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。所制成的金属纳米丝的透明欧姆电极,具有良好的电导率和透光性,并能与半导体器件形成良好欧姆接触,可以提高器件电注入效率及其出光效率。制作灵活,易于图案化,可以在很多不规则的区域或者超大面积上形成透明导电电极。 | ||
搜索关键词: | 金属 纳米 透明 欧姆 电极 压印 方法 | ||
【主权项】:
金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法,其特征在于包括以下步骤:1)将Cu纳米分散于有机溶液中;2)通过真空抽滤,将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上;3)将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上,并在基片背面施加压力,再揭去滤膜后,Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面,然后在真空气氛中退火,即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。
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