[发明专利]薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管之显示阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201310371920.X | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN104425266A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吴逸蔚;陆一民;张炜炽;林辉巨;高逸群;方国龙 | 申请（专利权）人： | 业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 孔丽霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括：于一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上对应栅极处形成沟道层，且于该沟道层上涂布蚀刻阻挡层；对该蚀刻阻挡层进行高温硬烤处理；于该蚀刻阻挡层上涂布光阻层；图案化该光阻层，显影出二穿导孔；以该图案化光阻层做屏蔽蚀刻该蚀刻阻挡层至该沟道层以形成二接触孔；移除剩余的光阻层；及于该二接触孔处形成源极与漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 使用 显示 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括：于一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上对应栅极处形成沟道层，且于该沟道层上形成覆盖该沟道层之蚀刻阻挡层；对形成有该蚀刻阻挡层之基板进行高温硬烤处理；于该蚀刻阻挡层上形成光阻层；图案化该光阻层从而在该图案化的光阻层上定义出二贯穿该光阻层之穿导孔；以该图案化光阻做屏蔽干蚀刻该蚀刻阻挡层，以形成沿厚度方向贯穿该蚀刻阻挡层并曝露出该沟道层之二接触孔；移除剩余的光阻层；及在该蚀刻阻挡层上形成源极与漏极，该源极与漏极经由该接触孔与该沟道层相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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