[发明专利]薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管之显示阵列基板的制造方法在审

申请号：	201310371920.X	申请日：	2013-08-23
公开（公告）号：	CN104425266A	公开（公告）日：	2015-03-18
发明（设计）人：	吴逸蔚;陆一民;张炜炽;林辉巨;高逸群;方国龙	申请（专利权）人：	业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/77
代理公司：	深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311	代理人：	孔丽霞
地址：	中国台湾新竹县***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管使用显示阵列制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管之显示阵列基板的制造方法。

背景技术

利用金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor)形成沟道的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)已被逐渐广泛应用于显示领域作为开关组件使用。在薄膜晶体管制程中由于金属氧化物半导体对后段制程，如用来形成薄膜晶体管之源、漏极之湿蚀刻(Wet-Etching)制程反应敏感，故会在金属氧化物半导体层上形成一蚀刻阻挡层借以保护该金属氧化物半导体层之特性。然而，由于蚀刻阻挡层必须满足一定的厚度需求，如大于1微米，在用黄光曝光形成接触孔时受厚度之影响使得源极与漏极之间的通道宽度通常维持在10微米左右，无法降低到一更小范围内，不仅导致薄膜晶体管本身的特性，如频率特性受到影响，而且也无法满足高分辨率(High Resolution HD)等面板的要求。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有较小通道长度的薄膜晶体管的制造方法。

更进一步地，提供一种具有该薄膜晶体管之显示阵列基板的制造方法。

一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括：

于一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上对应栅极处形成沟道层，且于该沟道层上涂布蚀刻阻挡层；

对该蚀刻阻挡层进行高温硬烤处理；

于该蚀刻阻挡层上涂布光阻；

图案化该光阻，显影出二穿导孔；

以该图案化光阻做屏蔽蚀刻该蚀刻阻挡层至该沟道层以形成二接触孔；

移除该图案化光阻；及

于该二接触孔处形成源极与漏极。