[发明专利]深沟槽填充结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310371227.2 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103413777B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽填充结构及其制作方法，所述制作方法包括提供衬底；形成依次位于所述衬底上的埋氧层和半导体层；在所述埋氧层和所述半导体层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩模，沿所述衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成由剩余衬底、所述埋氧层以及所述侧墙围成的沟槽；在所述沟槽中形成本征半导体层；在形成有所述本征半导体层的所述沟槽中形成隔离结构。所述深沟槽填充结构包括衬底；依次位于所述衬底上的埋氧层、半导体层；所述衬底的侧壁开设有延伸至所述半导体层下方的沟槽，所述沟槽内设置有本征半导体层。本发明可改善输出信号失真的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 填充 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽填充结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成依次位于所述衬底上的埋氧层和半导体层；在所述埋氧层和所述半导体层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩模，沿所述衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成由剩余衬底、所述埋氧层以及所述侧墙围成的沟槽；在所述沟槽中形成本征半导体层；在形成有所述本征半导体层的所述沟槽中形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
