[发明专利]基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构有效
| 申请号： | 201310366202.3 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103489897B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;张雄文;房玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构，属于半导体高频功率器件和高压器件，特别涉及III族氮化物器件的高压领域。本发明中自下而上包括衬底、缓冲层、沟道层和上表面上设有电极的势垒层，势垒层上的上表面呈部分阶梯式递增或全部阶梯式递增；递增方向为器件处于反向截至状态时自低电位电极到高电位电极方向。和常规III族氮化物器件结构相比，本发明主要创新是通过挖槽工艺实现了势垒层沟道的准线性掺杂，巧妙的避开了III族氮化物二次注入工艺，降低了制作难度，同时也降低了器件的制作成本；且本发明的准线性掺杂有效降低了原有的峰值电场，有效的提高了器件的击穿电压，降低了电流崩塌。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 材料 准线 掺杂 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构的制作方法，其特征在于：所述准线性掺杂的器件结构自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3）和上表面上设有电极的势垒层（4），所述势垒层（4）上表面呈部分阶梯式递增；递增方向为器件处于反向截至状态时自低电位电极到高电位电极方向；所述阶梯式递增部分的最高台阶的高度不高于势垒层（4）的等平面高度W；势垒层（4）的实现工艺步骤如下：首先，生长等平面势垒层（4）；接着，在等平面势垒层（4）上干法刻蚀第一个槽；然后再第一个槽上干法刻蚀第二个槽；依次类推，形成阶梯式递增。
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