[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365829.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425592B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法和静态随机存储器及其形成方法，所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和两行以上隔离沟槽，所述有源区位于相邻所述隔离沟槽之间；隔离结构，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁上的第一隔离层、位于所述第一隔离层上的阻挡层和位于所述阻挡层上的第二隔离层；栅极结构，所述栅极结构包括横跨所述有源区和所述有源区两侧至少部分第一隔离层的第一介质层、位于所述第一介质层上的第二介质层和位于所述第二介质层上的金属栅极；侧墙，所述侧墙位于所述隔离结构上且覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙至少覆盖部分所述阻挡层。本发明所形成半导体器件的性能好、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和两行以上隔离沟槽，所述有源区位于相邻所述隔离沟槽之间；隔离结构，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁上的第一隔离层、位于所述第一隔离层上的阻挡层和位于所述阻挡层上的第二隔离层；栅极结构，所述栅极结构包括横跨所述有源区和所述有源区两侧至少部分第一隔离层的第一介质层、位于所述第一介质层上的第二介质层和位于所述第二介质层上的金属栅极；其中，所述有源区两侧的第二隔离层不被所述第一介质层覆盖；侧墙，所述侧墙位于所述隔离结构上且覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙至少覆盖部分所述阻挡层；所述阻挡层的材料为SiON、SiCN和SiCON中的一种或者几种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310365829.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
