[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365829.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425592B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 静态 随机 存储器 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和两行以上隔离沟槽，所述有源区位于相邻所述隔离沟槽之间；
隔离结构，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁上的第一隔离层、位于所述第一隔离层上的阻挡层和位于所述阻挡层上的第二隔离层；
栅极结构，所述栅极结构包括横跨所述有源区和所述有源区两侧至少部分第一隔离层的第一介质层、位于所述第一介质层上的第二介质层和位于所述第二介质层上的金属栅极；其中，所述有源区两侧的第二隔离层不被所述第一介质层覆盖；
侧墙，所述侧墙位于所述隔离结构上且覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙至少覆盖部分所述阻挡层；
所述阻挡层的材料为SiON、SiCN和SiCON中的一种或者几种。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料为氧化硅；所述第一介质层的材料为高k的金属氧化物，所述第二介质层的材料为氮化钛。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为40埃～60埃。
4.一种静态随机存储器，其特征在于，包括权利要求1至3任一项所述半导体器件。
5.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和两行以上隔离沟槽，所述有源区位于相邻所述隔离沟槽之间；
在所述隔离沟槽内形成隔离结构，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁上的第一隔离层，位于所述第一隔离层上的阻挡层以及位于所述阻挡层上的第二隔离层；
在所述有源区和所述有源区两侧的至少部分第一隔离层上形成栅极结构，所述栅极结构包括横跨所述有源区和所述有源区两侧至少部分第一隔离层的第一介质层、位于所述第一介质层上的第二介质层和位于所述第二介质层上的金属栅极；其中，所述有源区两侧的第二隔离层不被所述第一介质层覆盖；
在所述隔离结构上形成覆盖所述栅极结构的侧壁的侧墙，所述侧墙至少覆盖部分所述阻挡层；
所述阻挡层的材料为SiON、SiCN和SiCON中的一种或者几种。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料为氧化硅；所述第一介质层的材料为高k的金属氧化物，所述第二介质层的材料为氮化钛。
7.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为40埃～60埃。
8.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的方法为原子层沉积或者扩散沉积。
9.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述隔离沟槽内形成隔离结构包括：
在所述隔离沟槽的底部和侧壁上形成第一隔离层；
在所述第一隔离层上形成阻挡层；
在所述阻挡层上形成第二隔离层。
10.一种静态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述静态随机存储器包括半导体器件，所述半导体器件采用权利要求5至9中任一项半导体器件的形成方法形成。
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