[发明专利]浮栅器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365601.8 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425625B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种浮栅器件结构及其形成方法，使用离子注入处理使所述第一多晶硅层的两端区域形成非晶区，接着去除非晶区，从而形成中间凸起两端凹陷的第一多晶硅层，增大了所述第一多晶硅层的表面积，接着在第一多晶硅层表面形成第二介质以及第二多晶硅层，使形成的第二多晶硅层的表面积也较大，从而可以增加第一多晶硅层‑第二介质层‑第二多晶硅层的电容量，提高浮栅器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅器件的形成方法，所述方法包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底设有浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构之间依次形成有第一介质层以及第一多晶硅层，所述浅沟槽隔离结构高于所述第一多晶硅层一预定高度；使用与水平线呈预定夹角的离子对所述第一多晶硅层进行离子注入处理，在所述第一多晶硅层两端的区域形成非晶区；刻蚀去除所述非晶区，暴露出所述第一多晶硅层，所述第一多晶硅层中间凸起两端凹陷；在所述第一多晶硅层表面依次形成第二介质层以及第二多晶硅层。
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