[发明专利]一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201310360950.0 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103400904A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;邢钊;陈晨;张巍;张代生;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，包括:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;背面沉积碱腐蚀阻挡层;在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;碱腐蚀去除背面BSF窗口处的硼注入层;在硅片前表面沉积一层薄的扩散过滤层;双面磷扩散同时形成BSF和FSF；去除背面的碱腐蚀阻挡层和前表面的扩散过滤层;硼离子注入激活;制备前表面减反层和背面钝化层;制备背面发射区电极和BSF电极;烧结实现电极的欧姆接触。本发明在工艺上得到了简化，性能上也得到了提升，对于双发射极背结背接触电池的产业化前景具有很大的裨益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶体 发射极 背结背 接触 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括:步骤101:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;步骤102:背面沉积碱腐蚀阻挡层;步骤103:在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;步骤104:碱腐蚀去除背面BSF窗口处的硼注入层;步骤105:在硅片前表面沉积一层薄的扩散过滤层;步骤106:双面磷扩散同时形成BSF和FSF；步骤107:去除背面的碱腐蚀阻挡层和前表面的扩散过滤层;步骤108:硼离子注入激活;步骤109:制备前表面减反层和背面钝化层;步骤110:制备背面发射区电极和BSF电极;步骤111:烧结实现电极的欧姆接触，完成晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
