[发明专利]一种化学机械抛光液以及应用有效
| 申请号： | 201310354927.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104371553B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 何华锋;王晨;周文婷;高嫄 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学机械抛光液以及应用，该抛光液对硅、铜及氧化硅同时具有非常高的抛光速度。通过硅烷偶联剂、氧化剂、有机胺、EDTA,实现了在碱性抛光环境下、化学机械抛光液的高研磨速率和解决抛光液分散稳定性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 以及 应用 | ||
【主权项】：
一种用于TSV的化学机械抛光液，其特征在于，含卤素的氧化剂、大于等于15％质量百分比的二氧化硅研磨颗粒、含硅的有机化合物、有机胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、pH值调节剂、以及含有大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子，其中所述含硅的有机化合物为自由分散在水相中，或已经和研磨颗粒之间通过化学键相连，所述含硅的有机化合物具有如下分子结构：其中，R为不能水解的取代基；D是连接在R上的有机官能团；A，B为相同的或不同的可水解的取代基或羟基；C是可水解基团或羟基，或不可水解的烷基取代基；D为氨基、巯基、环氧基、丙烯酸基、乙烯基、丙烯酰氧基或脲基，所述含卤素的氧化剂为溴酸钾、碘酸钾、氯酸钾、高碘酸和/或高碘酸铵中的一种或多种，所述大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子为钾离子，所述含硅的有机化合物的浓度为质量百分比0.01％～1％，所述抛光液的pH值为8～13。
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